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ベンフレセート試験法


1. 分析対象化合物
ベンフレセート

2. 装置
炎光光度型検出器(硫黄用干渉フィルター,波長394nm)付きガスクロマトグラフ及びガスクロマトグラフ・質量分析計を用いる。

3. 試薬、試液
総則の3に示すものを用いる。

4. 標準品
ベンフレセート 本品はベンフレセート99%以上を含む。
融点 本品の融点は30°である。

5. 試験溶液の調製
a 抽出法
検体を420μmの標準網ふるいを通るように粉砕した後,その10.0gを量り採り,水20mlを加え,2時間放置する。
これにアセトン100mlを加え,3分間細砕した後,ケイソウ土を1cmの厚さに敷いたろ紙を用いてすり合わせ減圧濃縮器中に吸引ろ過する。ろ紙上の残留物を採り,アセトン50mlを加え,3分間細砕した後,上記と同様に操作して,ろ液をその減圧濃縮器中に合わせ,40°以下で約30mlに濃縮する。
これをあらかじめ10%塩化ナトリウム溶液100mlを入れた300mlの分液漏斗に移す。n−ヘキサン100mlを用いて上記の減圧濃縮器のナス型フラスコを洗い,洗液を上記の分液漏斗に合わせる。振とう機を用いて5分間激しく振り混ぜた後,静置し,n−ヘキサン層を300mlの三角フラスコに移す。水層にn−ヘキサン50mlを加え,上記と同様に操作して,n−ヘキサン層を上記の三角フラスコに合わせる。これに適量の無水硫酸ナトリウムを加え,時々振り混ぜながら15分間放置した後,すり合わせ減圧濃縮器中にろ過する。次いでn−ヘキサン20mlと用いて三角フラスコを洗い,その洗液でろ紙上の残留物を洗う操作を2回繰り返す。両洗液をその減圧濃縮器中に合わせ,40°以下でn−ヘキサンを除去する。
この残留物にn−ヘキサン30mlを加え,100mlの分液漏斗に移す。これにn−ヘキサン飽和アセトニトリル30mlを加え,振とう機を用いて5分間激しく振り混ぜた後,静置し,アセトニトリル層をすり合わせ減圧濃縮器中に移す。n−ヘキサン層にn−ヘキサン飽和アセトニトリル30mlを加え,上記と同様の操作を2回繰り返し,アセトニトリル層をその減圧濃縮器中に合わせ,40°以下でアセトニトリルを除去する。この残留物にエーテル及びn−ヘキサンの混液(5:95)5mlを加えて溶かす。
b 精製法
内径15mm,長さ300mmのクロマトグラフ管に,カラムクロマトグラフィー用合成ケイ酸マグネシウム5gをエーテル及びn−ヘキサンの混液(5:95)に懸濁したもの,次いでその上に無水硫酸ナトリウム約5gを入れ,カラムの上端に少量のエーテル及びn−ヘキサンの混液(5:95)が残る程度までエーテル及びn−ヘキサンの混液(5:95)を流出させる。このカラムにa 抽出法で得られた溶液を注入した後,エーテル及びn−ヘキサンの混液(5:95)70mlを注入し,流出液は捨てる。次いでアセトン及びn−ヘキサンの混液(5:95)80mlを注入し,流出液をすり合わせ減圧濃縮器中に採り,40°以下でアセトン及びn−ヘキサンを除去する。この残留物にアセトンを加えて溶かし,正確に1mlとして,これを試験溶液とする。

6. 操作法
a 定性試験
次の操作条件で試験を行う。試験結果は標準品と一致しなければならない。
操作条件
カラム 内径0.25mm,長さ30mのケイ酸ガラス製の細管に,ガスクロマトグラフィー用メチルシリコンを0.25μmの厚さでコーティングしたもの。
カラム温度 60°で3分間保持し,その後毎分20°で昇温し,260°に到達後10分間保持する。
試験溶液注入口温度 260°
注入方式 スプリットレス
検出器 280°で操作する。
ガス流量 キャリヤーガスとしてヘリウムを用いる。ベンフレセートが約14分で流出する流速に調整する。空気及び水素の流量を至適条件に調整する。
b 定量試験
a 定性試験と同様の操作条件で得られた試験結果に基づき,ピーク高法又はピーク面積法により定量を行う。
c 確認試験
a 定性試験と同様の操作条件でガスクロマトグラフィー・質量分析を行う。試験結果は標準品と一致しなければならない。また,必要に応じ,ピーク高法又はピーク面積法により定量を行う。

7. 定量限界
0.02 mg/kg

8. 留意事項
なし

9. 参考文献
なし

10. 類型
A


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